#1 |
数量:19433 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:19433 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:340 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
MJ21195,6 |
标准包装 | 100 |
晶体管类型 | PNP |
集电极电流(Ic)(最大) | 16A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 250V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 4V @ 3.2A, 16A |
电流 - 集电极截止(最大) | 100µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 25 @ 8A, 5V |
功率 - 最大 | 250W |
频率转换 | 4MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-204AA, TO-3 |
供应商器件封装 | TO-3 |
包装材料 | Tray |
动态目录 | PNP Transistors###/catalog/en/partgroup/pnp-transistors/15240?mpart=MJ21195G&vendor=488&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
包装 | 3TO-204 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 250 V |
集电极最大直流电流 | 16 A |
最小直流电流增益 | 25@8A@5V|8@16A@5V |
最大工作频率 | 4(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1.4@0.8A@8A|4@3.2A@16A V |
最大集电极基极电压 | 400 V |
工作温度 | -65 to 200 °C |
最大功率耗散 | 250000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Trays |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 16A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 4MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 4V @ 3.2A, 16A |
电流 - 集电极截止(最大) | 100µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 250V |
供应商设备封装 | TO-3 |
封装 | Tray |
功率 - 最大 | 250W |
封装/外壳 | TO-204AA, TO-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 25 @ 8A, 5V |
其他名称 | MJ21195GOS |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 100 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 1.4 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 25 |
增益带宽产品fT | 4 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 250 V |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | 400 V |
最低工作温度 | - 65 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 16 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 16 A |
集电极 - 基极电压 | 400 V |
集电极 - 发射极电压 | 250 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 4 MHz |
功率耗散 | 250 W |
工作温度范围 | -65C to 200C |
包装类型 | TO-204 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 25 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 4 MHz |
集电极电流(DC ) | 16 A |
直流电流增益 | 25 |
频率 - 跃迁 | 4MHz |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 4V @ 3.2A, 16A |
晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100µA |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 25 @ 8A, 5V |
封装/外壳 | TO-204AA, TO-3 |
功率 - 最大值 | 250W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 16A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 250V |
长度 | 39.37 mm |
系列 | MJ21195 |
身高 | 8.51 mm (Max) |
Pd - Power Dissipation | 250 W |
品牌 | ON Semiconductor |
associated | 80-4-5 |
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